dV/dD-D和dV/d㏒D-D

孔径的微分分布曲线的一般表达方式是用dV/dD对D作图，表示孔容随孔径变化率的规律，由于孔径的范围很宽，从零点几纳米到几百纳米，一般在十纳米以下，因此横坐标采用对数坐标，有意把纳米范围孔的变化放大，表示的更清晰。从介孔和大孔孔径分析的Kilven方程看，压力与孔径的对应关系，在50纳米以上时，压力变化非常小，例如，P/Po=0.98时，对应孔径约为50nm，当P/Po=0.99时，对应孔径约为100nm，P/Po=0.995是，对应孔径约为400nm，这时每两个测试点之间的孔径间隔（dD）非常大，得到的孔容随孔径的变化率很小，因此，在dV/dD-D曲线上，对于大孔材料的最可几孔径范围不能更清晰的反映出来，为了解决这个问题，提出了dV/d㏒D-D的表示方法，这种方法把大孔范围的孔容孔径变化率加大，因为dV/d㏒D=D·loge·dV/dD≈2.3D·(dV/dD)，因此当孔径分布在较大的孔径范围时，例如大于10nm时，在dV/d㏒D-D的图上，其最可几孔径能够更清晰的表示出来。